Wat is III-V-verbindingshalfgeleider?

Halfgeleider opgebouwd uit elementen van groep III (Ga, In, Al enzovoort) en groep V (As, P, N enzovoort). Voorbeelden zijn GaAs, InP en GaN.

Japanse benaming: III-V族化合物半導体

“III-V-verbindingshalfgeleider” komt voor in 2 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Verbindingshalfgeleiders.

Vakgebied: Verbindingshalfgeleiders

Nu oefenen: vragen over III-V-verbindingshalfgeleider

Welke van de volgende halfgeleiders behoort tot de III-V-verbindingshalfgeleiders?

  1. ASiC
  2. BGaN
  3. CZnSe
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. GaN

GaN is een III-V-verbindingshalfgeleider die bestaat uit gallium (Ga) uit groep III en stikstof (N) uit groep V. Bij een combinatie van groep III en groep V bedraagt het gemiddelde aantal valentie-elektronen vier, zodat een covalent kristal ontstaat dat op silicium lijkt. GaAs, InP, AlN en InSb behoren tot dezelfde familie. SiC bestaat uit twee groep-IV-elementen (IV-IV), ZnSe is een II-VI-halfgeleider van zink uit groep II en seleen uit groep VI; ook CdTe (zonnecellen) en ZnO (transparante elektroden) zijn II-VI-halfgeleiders.

Welke combinatie van elementen vormt galliumarsenide (GaAs)?

  1. AGallium (groep III) en zwavel (groep VI)
  2. BGallium (groep III) en arseen (groep V)
  3. CGermanium (groep IV) en arseen (groep V)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Gallium (groep III) en arseen (groep V)

GaAs is een III-V-verbindingshalfgeleider waarin gallium (Ga) uit groep III en arseen (As) uit groep V in de verhouding 1:1 zijn gebonden. Het is een kristal met zinkblendestructuur, waarin elk Ga-atoom door vier As-atomen is omgeven en elk As-atoom door vier Ga-atomen; het gemiddelde aantal valentie-elektronen is vier, evenveel als bij silicium. Gallium wordt verkregen als bijproduct van de aluminiumraffinage en arseen is giftig, zodat bij productie en afvalverwerking strikt beheer vereist is.

“III-V-verbindingshalfgeleider” in de toelichting

Vragen met “III-V-verbindingshalfgeleider” (2)

  1. Welke van de volgende halfgeleiders behoort tot de III-V-verbindingshalfgeleiders?
  2. Welke combinatie van elementen vormt galliumarsenide (GaAs)?

Verwante termen

GaAs (galliumarsenide) GaN (galliumnitride) InP (indiumfosfide) SiC (siliciumcarbide) Directe bandovergang (direct bandgap) Efficiency droop Ga2O3 (galliumoxide) Halfgeleider met brede bandgap (wide-bandgap) HEMT (high electron mobility transistor) Legeringshalfgeleider (mengkristal)

Naar de woordenlijst