Was ist Effizienz-Droop?
Abnahme der Lichtausbeute von InGaN-LEDs bei steigendem Strom. Als eine Ursache gilt die Auger-Rekombination.
Japanische Bezeichnung: 効率ドループ
Fachgebiet: Verbindungshalbleiter
Verwandte Begriffe
2DEG (zweidimensionales Elektronengas) Direkter Halbleiter (direkte Bandlücke) Ga2O3 (Galliumoxid) GaAs (Galliumarsenid) GaN (Galliumnitrid) Halbleiter mit großer Bandlücke (Wide-Bandgap) HEMT (Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) III-V-Verbindungshalbleiter InP (Indiumphosphid) Mischkristall-Halbleiter