Nederlands
Menu

Vermogenshalfgeleiders

Welk verlies neemt toe door de reverse recovery van de diode in de tegenoverliggende arm wanneer een schakelaar van de omvormer inschakelt?

  1. AInschakelverlies van de ingeschakelde schakelaar (de reverse-recoverystroom komt erbovenop)
  2. BAlleen het verlies in de gate-aandrijfschakeling
  3. CHet verlies van het koellichaam
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Inschakelverlies van de ingeschakelde schakelaar (de reverse-recoverystroom komt erbovenop)

Wanneer de diode die stroom voerde in sperrichting wordt voorgespannen, vloeit een reverse-recoverystroom door de opgeslagen ladingdragers. Deze stroom loopt door de schakelaar die wordt ingeschakeld, zodat de stroompiek en het verlies bij inschakelen toenemen, en ook aan de diodezijde ontstaat reverse-recoveryverlies. Naarmate de spanning hoger en de stroom groter is, is de invloed groter, dus vervanging door een SiC-Schottkydiode met weinig reverse recovery kan het inschakelverlies van de schakelaar sterk verminderen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Vermogenshalfgeleiders

  1. Welke uitspraak over ZVS (zero voltage switching) onder de soft-switchingmethoden van vermogensomzetters is juist?
  2. Wat is de juiste reden dat de gatespanning een tijdlang vlak blijft (“Miller-plateau”) wanneer de gate van een vermogens-MOSFET met een constante stroom wordt opgeladen?
  3. Wat is de belangrijkste reden dat bij het aansturen van SiC-MOSFET’s en IGBT’s in de uit-toestand soms een negatieve spanning (bijvoorbeeld −3 tot −5 V) op de gate wordt gezet?
  4. Wat is de meest voorkomende nominale waarde voor de maximale junctietemperatuur (Tj max) van gebruikelijke silicium-vermogenscomponenten?
  5. Wat is de belangrijkste reden om bij de keuze van vermogenscomponenten een nominale spanning met marge aan te houden en een component met een hogere doorslagspanning dan de werkelijke gebruiksspanning te gebruiken (derating)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp