Verschijnsel waarbij veel minderheidsladingdragers in een laag met lage dotering worden geïnjecteerd en de weerstand van die laag sterk daalt. Wordt gebruikt in PIN-diodes en IGBT's om hoge doorslagspanning te combineren met een lage aan-spanning.
Japanse benaming: 伝導度変調
“Geleidbaarheidsmodulatie” komt voor in 4 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. PN-overgang en diode, Vermogenshalfgeleiders.
Vakgebied: PN-overgang en diode
Antwoord: C. Doordat de i-laag een brede uitputtingslaag wordt, is ze geschikt voor hoge doorslagspanning en voor snelle, gevoelige lichtdetectoren
Bij een PIN-diode werkt de gehele laag gedoteerde i-laag met weinig onzuiverheden als uitputtingslaag. Omdat de brede uitputtingslaag hoge spanningen kan dragen, is ze geschikt voor gelijkrichtdiodes met hoge doorslagspanning, en door het brede lichtabsorberende gebied en de kleine junctiecapaciteit voor snelle, gevoelige lichtdetectoren. In voorwaartse richting daalt de weerstand van de i-laag door geleidbaarheidsmodulatie en in sperrichting is deze hoogohmig, waardoor ze ook wordt gebruikt voor hoogfrequent schakelen en variabele verzwakkers. Een versterkende werking heeft ze niet.
Antwoord: B. Geleidbaarheidsmodulatie
De i-laag met weinig onzuiverheden is van nature hoogohmig, maar bij voorwaartse stroom worden grote aantallen elektronen en gaten vanuit de p- en n-laag geïnjecteerd, en door ladingdragers ruim boven de dopingconcentratie daalt de weerstand sterk. Dit is geleidbaarheidsmodulatie, waarmee in een dikke driftlaag een hoge doorslagspanning kan worden gewaarborgd terwijl de aan-spanning laag blijft. Het is een sleutelmechanisme van IGBT’s en diodes met hoge doorslagspanning, maar omdat de opgeslagen ladingdragers moeten worden verwijderd, wordt het schakelen trager.
In voorwaartse richting daalt de weerstand van de i-laag door geleidbaarheidsmodulatie en in sperrichting is deze hoogohmig, waardoor ze ook wordt gebruikt voor hoogfrequent schakelen en variabele verzwakkers.
Welke uitspraak over de kenmerken van een PIN-diode, met ee…Dit is geleidbaarheidsmodulatie, waarmee in een dikke driftlaag een hoge doorslagspanning kan worden gewaarborgd terwijl de aan-spanning laag blijft.
Hoe heet het verschijnsel waarbij bij een voorwaartse stroo…Hij wordt met spanning aangestuurd, zodat de aandrijfschakeling eenvoudig is, en in de aan-toestand verlagen de vanuit de p+-laag geïnjecteerde gaten de weerstand van de driftlaag sterk (geleidbaarheidsmodulatie), waardoor de aan-spanning ook bij hoge doorslagspanningen van 600 V tot 6,5 kV laag kan zijn.
Welke uitspraak over de IGBT is juist?IGBT’s kunnen dankzij geleidbaarheidsmodulatie ook bij hoge doorslagspanning een lage aan-spanning behouden en zijn geschikt voor toepassingen met grote stroom van 600 V of meer (EV’s, industriële omvormers, spoorwegen), maar zijn door de staartstroom wat trager.
Welke uitspraak over het gebruikelijke onderscheid in toepa…IGBT Staartstroom (tail current) Uitputtingslaag (depletion layer) Junctiecapaciteit (depletiecapaciteit) Aan-weerstand (on-resistance) SiC (siliciumcarbide) Diffusiecapaciteit Idealiteitsfactor Ingebouwde spanning (built-in potential) Lawinedoorslag (avalanche breakdown)