Wat is de belangrijkste reden dat bij het aansturen van SiC-MOSFET’s en IGBT’s in de uit-toestand soms een negatieve spanning (bijvoorbeeld −3 tot −5 V) op de gate wordt gezet?

Antwoord: B. Om te voorkomen dat de gatespanning door een spanningsverandering als gevolg van de werking van de tegenoverliggende schakelaar omhoog wordt getrokken en het component ten onrechte inschakelt

In een brugschakeling kan de abrupte spanningsverandering (dv/dt) wanneer de tegenoverliggende schakelaar inschakelt, via de Millercapaciteit een stroom naar de gate van het uitgeschakelde component sturen en de gatespanning omhoog trekken. Wordt de drempel overschreden, dan schakelt het component ten onrechte in en ontstaat kortsluiting van boven en onder. SiC-MOSFET’s hebben een lage drempelspanning van 2 tot 3 V en een grote dv/dt, dus vragen om extra aandacht, en met een negatieve gatespanning of een Miller-clampschakeling wordt marge gewaarborgd.