PN-overgang en diode

Wat is de juiste inhoud van de “uitputtingsbenadering” die bij de analyse van pn-juncties wordt gebruikt?

  1. ADe onzuiverheidsconcentraties aan beide zijden van de junctie worden gelijk verondersteld
  2. BIn de uitputtingslaag zijn helemaal geen ladingdragers en daarbuiten is de lading neutraal
  3. CIn de uitputtingslaag zijn ook meerderheidsladingdragers aanwezig met dezelfde dichtheid als de onzuiverheden
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. In de uitputtingslaag zijn helemaal geen ladingdragers en daarbuiten is de lading neutraal

In de uitputtingsbenadering wordt aangenomen dat de uitputtingslaag volledig vrij is van vrije ladingdragers en alleen de lading van geïoniseerde onzuiverheden bevat, terwijl het gebied daarbuiten elektrisch neutraal is. De werkelijke grens is geleidelijk over een breedte van ongeveer de Debye-lengte, maar door deze vereenvoudiging kan de Poisson-vergelijking eenvoudig worden opgelost en kunnen de breedte van de uitputtingslaag, het veld en de capaciteit met formules worden bepaald. Dezelfde benadering wordt niet alleen bij pn-juncties gebruikt, maar ook bij berekeningen van MOS-condensatoren en de drempelspanning van MOSFET’s.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over PN-overgang en diode

  1. Hoe wordt de spanning aangelegd om een pn-junctiediode in voorwaartse richting voor te spannen?
  2. Wat gebeurt er met de breedte van de uitputtingslaag wanneer de sperspanning over een pn-junctie wordt vergroot?
  3. Welk verschijnsel wordt hoofdzakelijk benut door een spanningsstabilisatiediode (zenerdiode)?
  4. Welke uitspraak over het verband tussen voorwaartse stroom en voorwaartse spanning van een pn-junctiediode is juist?
  5. Wat is de voorwaartse spanning (de ongeveer spanning waarbij stroom begint te vloeien) van een gebruikelijke silicium-pn-junctiediode?