금속과 반도체의 접촉을 오믹 접촉(저항성 접촉)으로 만들기 위해 자주 사용되는 방법은?

정답: A. 접촉하는 반도체의 표면을 고농도로 도핑하여 장벽을 터널 효과로 통과하기 쉽게 한다

금속과 반도체 사이에는 쇼트키 장벽이 생기지만, 반도체 쪽을 고농도(실리콘에서 약 10¹⁹ cm⁻³ 이상)로 도핑하면 장벽의 폭이 수 nm까지 얇아져 캐리어가 터널 효과로 통과할 수 있습니다. 이로써 전류의 방향에 관계없이 저항이 낮은 오믹 접촉이 됩니다. 첨단 트랜지스터에서는 접촉 저항이 전체 저항의 큰 비율을 차지하므로, 실리사이드 형성이나 매우 높은 도핑으로 줄이고 있습니다.

• A. 올바릅니다. 고농도 도핑으로 장벽을 얇게 하여 터널 전류를 흘립니다.
• B. 저농도로 하면 장벽이 두꺼워져 쇼트키 접촉이 되기 쉽습니다.
• C. 두꺼운 절연막을 끼우면 전류가 흐르기 어려워집니다.