Bij welke soort stroom is de idealiteitsfactor n in de diodevergelijking I ∝ exp(qV / nkT) hoofdzakelijk dicht bij 2?

Antwoord: B. Recombinatiestroom in de uitputtingslaag

Als de diffusiestroom van minderheidsladingdragers in het neutrale gebied domineert, is n ≈ 1, maar als de recombinatiestroom via defectniveaus in de uitputtingslaag domineert, nadert n ≈ 2. De reden is dat de recombinatiestroom evenredig is met exp(qV/2kT). Bij siliciumdiodes valt de recombinatiestroom op in het lage-stroomgebied. Wordt n bepaald uit de halflogaritmische I-V-karakteristiek, dan geeft dat een maat voor het aantal defecten en de productiekwaliteit, en wordt het ook gebruikt bij de beoordeling van zonnecellen.