PN-Übergang und Diode
Welche Methode wird häufig verwendet, um einen Metall-Halbleiter-Kontakt zu einem ohmschen Kontakt (Widerstandskontakt) zu machen?
- ADie Oberfläche des kontaktierten Halbleiters hoch zu dotieren, sodass die Barriere leicht durchtunnelt werden kann
- BDie Oberfläche des kontaktierten Halbleiters niedrig zu dotieren
- CEine dicke Oxidschicht zwischen Metall und Halbleiter einzufügen
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Antwort: A. Die Oberfläche des kontaktierten Halbleiters hoch zu dotieren, sodass die Barriere leicht durchtunnelt werden kann
Zwischen Metall und Halbleiter bildet sich eine Schottky-Barriere; wird die Halbleiterseite jedoch hoch dotiert (bei Silizium etwa 10¹⁹ cm⁻³ oder mehr), wird die Barriere nur noch einige nm breit, und Ladungsträger können sie durch den Tunneleffekt durchqueren. So entsteht unabhängig von der Stromrichtung ein ohmscher Kontakt mit niedrigem Widerstand. Bei fortgeschrittenen Transistoren macht der Kontaktwiderstand einen großen Teil des Gesamtwiderstands aus und wird durch Silizidbildung und extrem hohe Dotierung verringert.