Welke vergelijking tussen de mobiliteit van elektronen en gaten in silicium is juist?

Antwoord: A. De mobiliteit van elektronen is groter

In silicium bedraagt bij kamertemperatuur en lage dotering de mobiliteit van elektronen ca. 1400 cm²/V·s en die van gaten ca. 450 cm²/V·s, dus elektronen zijn ca. 3 keer groter. De belangrijkste reden is de grotere effectieve massa van gaten. Daarom kan bij dezelfde afmetingen een nMOS een grotere stroom voeren, en wordt in CMOS standaard de gatebreedte van de pMOS 2 tot 3 keer die van de nMOS gemaakt om de aandrijfkracht gelijk te trekken. In geavanceerde processen wordt de mobiliteit van pMOS verhoogd door compressieve spanning met SiGe.