Nederlands
Menu

Halfgeleiderfysica

Wat is een typische factor die de levensduur van minderheidsladingdragers in silicium verkort?

  1. AOnzuiverheden die diepe niveaus vormen, zoals goud, en kristaldefecten
  2. BHet verlagen van de temperatuur tot zeer lage waarden
  3. CHet plaatsen van de wafer in vacuüm
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Onzuiverheden die diepe niveaus vormen, zoals goud, en kristaldefecten

Zware metalen zoals goud en ijzer en kristaldefecten vormen diepe niveaus halverwege de kloof en werken als recombinatiecentra die de recombinatie van elektronen en gaten bemiddelen (SRH-recombinatie). Hoe dichter een niveau bij het midden ligt, hoe sterker het recombinatie bevordert, waardoor de levensduur korter wordt. Bij snelle diodes en IGBT’s wordt de levensduur juist bewust verkort door platinadiffusie of bestraling met elektronen of protonen om opgeslagen minderheidsladingdragers snel te laten verdwijnen. Zeer lage temperatuur en vacuüm zijn geen typische oorzaken van een korte levensduur.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Wat is de kristalstructuur van eenkristallijn silicium?
  2. Wat is de driftsnelheid van een elektron met een mobiliteit van 1000 cm²/V·s in een elektrisch veld van 100 V/cm?
  3. Hoe heet de massa die wordt ingevoerd om de beweging van elektronen in een kristal, vanuit de reactie op een externe kracht, op dezelfde manier als die van vrije elektronen te behandelen?
  4. Wat is de juiste betekenis van het Fermi-niveau?
  5. Hoe groot is bij benadering de gatendichtheid in n-type silicium met een donorconcentratie van 1×10¹⁶ cm⁻³ (alle donoren geïoniseerd, intrinsieke ladingdragerdichtheid ni = 1×10¹⁰ cm⁻³)?