Halfgeleiderfysica

Welke uitspraak over de temperatuurafhankelijkheid van de weerstandsfactor (resistiviteit) van een intrinsieke halfgeleider is juist?

  1. ABij hogere temperatuur daalt de resistiviteit
  2. BBij hogere temperatuur stijgt de resistiviteit
  3. CDe resistiviteit is constant, onafhankelijk van de temperatuur
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Bij hogere temperatuur daalt de resistiviteit

Bij een intrinsieke halfgeleider neemt bij stijgende temperatuur het aantal ladingdragers dat over de bandkloof wordt geëxciteerd exponentieel toe, dus de resistiviteit daalt (negatieve temperatuurcoëfficiënt). Bij metalen is het aantal ladingdragers vrijwel constant en neemt de verstrooiing door roosterspanning toe, waardoor de resistiviteit stijgt. Hierop is de thermistor (NTC) gebaseerd. Bij gedoteerd silicium is het aantal ladingdragers rond kamertemperatuur echter vrijwel constant, zodat er een bereik is waarin de weerstand juist stijgt door de dalende mobiliteit.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Wat is het product van de elektronendichtheid n en de gatendichtheid p (n×p) van een halfgeleider in thermisch evenwicht? (ni: intrinsieke ladingdragerdichtheid)
  2. Wat is de oorzaak van een diffusiestroom in een halfgeleider?
  3. Wat is een typische factor die de levensduur van minderheidsladingdragers in silicium verkort?
  4. Wat is de kristalstructuur van eenkristallijn silicium?
  5. Wat is de driftsnelheid van een elektron met een mobiliteit van 1000 cm²/V·s in een elektrisch veld van 100 V/cm?