Wat is de oorzaak van een diffusiestroom in een halfgeleider?

Antwoord: C. Een gradiënt in de ladingdragerconcentratie (concentratieverschil)

Ladingdragers hebben de neiging zich te verspreiden van een plaats met hoge naar een plaats met lage concentratie, en de stroom die door deze concentratiegradiënt vloeit, is de diffusiestroom (J = qD·dn/dx). De oorzaak verschilt van de driftstroom, die door een elektrisch veld wordt versneld. In een pn-junctie heffen beide elkaar in evenwicht precies op zodat de stroom 0 is, en bij voorwaartse voorspanning wint de diffusiestroom en vloeit er stroom. Ook de stroom door de basis van een bipolaire transistor is hoofdzakelijk diffusiestroom.