Nederlands
Menu

Interconnectprocessen

Hoe heet de methode waarbij bedradingssleuven en vias gelijktijdig met Cu worden gevuld en met één CMP-stap worden gevormd?

  1. ASingle damascene
  2. BEtch-back-methode
  3. CDual damascene
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Dual damascene

Bij het dual damascene-proces worden in de isolatiefilm zowel viagaten als bedradingssleuven met lithografie en etsen gevormd, daarna in één keer gevuld met een barrièrelaag, seedlaag en Cu-plateren en met één CMP-stap afgewerkt. Vergeleken met single damascene, waarbij via en bedrading apart worden gemaakt, vervallen elk één depositie-, plateer- en CMP-stap, en doordat er geen barrièregrensvlak tussen via en bedrading ontstaat, is het ook voordelig voor weerstand en betrouwbaarheid. De varianten verschillen in of eerst het gat of eerst de sleuf wordt geopend.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Interconnectprocessen

  1. Wat is de juiste functie van de dunne Cu-film die vóór het vullen van Cu door elektrolytisch plateren door sputteren wordt gevormd?
  2. Welk probleem treedt op als Cu onvoldoende is gevuld en er holtes (voids) in het via achterblijven?
  3. Hoe verandert de capaciteit tussen naburige bedradingen in dezelfde laag ongeveer als de bedradingsafstand wordt gehalveerd? (benader als parallelle platen)
  4. Welke techniek vormt het via zelfuitgelijnd op de bedradingssleuf, zodat het bestand is tegen uitlijnfouten tussen bovenste en onderste bedradingslagen?
  5. Hoe groot is bij een bedrading met een soortelijke weerstand van 2 µΩ·cm, een lengte van 1 mm en een breedte en dikte van elk 100 nm ongeveer de weerstand?

Vergelijkingen bij dit onderwerp