차세대 메모리

상변화 메모리(PCM)에서 하나의 셀에 여러 비트를 기억시키는(다치화하는) 방법으로 올바른 것은 무엇입니까?

  1. A셀의 색을 바꾼다
  2. B셀의 자화 방향을 여러 가지로 한다
  3. C셀 속 비정질 영역의 크기 등을 제어하여 중간 저항값을 만들어 구분한다
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정답: C. 셀 속 비정질 영역의 크기 등을 제어하여 중간 저항값을 만들어 구분한다

PCM에서는 셀 내 비정질 영역의 크기(결정 부분과의 비율)를 쓰기 펄스의 높이나 길이로 제어하면, 고저항과 저저항 사이의 중간 저항값을 만들 수 있습니다. 저항 차이가 2~3자릿수로 크므로 여러 레벨을 구분하면 1셀에 2비트 이상을 기억시킬 수 있습니다. 다만 저항 드리프트나 온도에 의한 변화가 있으므로, 쓰기 후 확인하여 조정하는 방식이나 드리프트를 보정하는 읽기 방법이 필요합니다.

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