Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over de rollen van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?

  1. ADe ene is een referentielaag met vaste magnetisatierichting, de andere een vrije laag waarvan de richting bij het schrijven verandert
  2. BDe magnetisatie van beide lagen wordt bij elke schrijfactie omgekeerd
  3. CDe magnetisatie van beide lagen blijft altijd vast
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De ene is een referentielaag met vaste magnetisatierichting, de andere een vrije laag waarvan de richting bij het schrijven verandert

Een van de lagen van de MTJ is de referentielaag (gepinde laag) met vaste magnetisatierichting, de andere is de vrije laag (opslaglaag) waarvan de richting bij het schrijven kan worden omgekeerd. Of de vrije laag parallel of antiparallel aan de referentielaag staat, bepaalt of 0 of 1 is opgeslagen. De referentielaag wordt sterk vastgelegd met een antiferromagneet of een tweelaagsstructuur waarvan de magnetisaties elkaar opheffen (synthetische antiferromagneet), zodat hij niet beweegt door de schrijfstroom of een extern magnetisch veld. De vrije laag wordt ontworpen met een balans tussen retentie en schrijfbaarheid.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over de manier van verhitten bij het in de kristallijne toestand met lage weerstand brengen van een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM, set) is juist?
  2. Hoe heet in de hysteresiscurve (polarisatie-veldkarakteristiek) van een ferro-elektricum de polarisatie die overblijft wanneer het elektrische veld weer tot nul wordt teruggebracht?
  3. Welke externe omstandigheid vereist bij het gebruik van MRAM aandacht?
  4. Waarom worden MRAM en FeRAM soms gebruikt in omgevingen met veel straling, zoals ruimtevaartapparatuur?
  5. Welke storage-class-memory-technologie, die Intel en Micron vroeger gezamenlijk ontwikkelden en onder de productnaam 'Optane' verkochten, is dit?

Vergelijkingen bij dit onderwerp