Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over de relatie tussen de weerstanden bij parallelle en antiparallelle magnetisatierichting van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?

  1. ABeide hebben dezelfde weerstand
  2. BDe weerstand bij parallelle magnetisatie is hoger
  3. CDe weerstand bij parallelle magnetisatie is lager
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De weerstand bij parallelle magnetisatie is lager

In magnetische materialen verschilt het aantal toestanden voor elektronen met majoriteits- en minoriteitsspin. Bij parallelle magnetisatie corresponderen aan beide zijden majoriteit met majoriteit, zodat elektronen gemakkelijk tunnelen en de weerstand laag is. Bij antiparallelle magnetisatie kunnen majoriteitselektronen van de ene zijde alleen naar minoriteitstoestanden aan de andere zijde, zodat tunnelen moeilijker is en de weerstand hoog. Op dit weerstandsverschil worden 0 en 1 onderscheiden.

De twee toestanden van een magnetische tunneljunctie (MTJ) Vrije laag (herschrijfbaar) Tunnelbarrière (MgO) Referentielaag (vast) Parallel Lage weerstand Antiparallel Hoge weerstand
De twee toestanden van een magnetische tunneljunctie (MTJ) · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over de rollen van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?
  2. Welke uitspraak over de manier van verhitten bij het in de kristallijne toestand met lage weerstand brengen van een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM, set) is juist?
  3. Hoe heet in de hysteresiscurve (polarisatie-veldkarakteristiek) van een ferro-elektricum de polarisatie die overblijft wanneer het elektrische veld weer tot nul wordt teruggebracht?
  4. Welke externe omstandigheid vereist bij het gebruik van MRAM aandacht?
  5. Waarom worden MRAM en FeRAM soms gebruikt in omgevingen met veel straling, zoals ruimtevaartapparatuur?

Vergelijkingen bij dit onderwerp