Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Wat voor materiaal is GST, een veelgebruikt opslagmateriaal voor faseveranderingsgeheugen?

  1. AEen legering van gallium, silicium en titaan
  2. BEen legering van goud, zilver en tin
  3. CEen verbinding van germanium, antimoon en telluur (zoals Ge2Sb2Te5)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Een verbinding van germanium, antimoon en telluur (zoals Ge2Sb2Te5)

GST is een chalcogenidemateriaal van germanium (Ge), antimoon (Sb) en telluur (Te), met Ge2Sb2Te5 als gangbare samenstelling. Het combineert een snelle kristallisatie binnen enkele tientallen ns met een stabiele amorfe toestand die bij kamertemperatuur lang behouden blijft, en zowel de weerstand als de reflectie van licht verschillen sterk tussen beide fasen. Omdat de kristallisatietemperatuur met circa 150 °C vrij laag is, worden voor hogetemperatuurtoepassingen zoals in voertuigen samenstellingen met meer Ge gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welk voorbeeld van een materiaal dat als weerstandsveranderende laag voor ReRAM wordt onderzocht en toegepast, is juist?
  2. Welk mechanisme voor energiebesparing van het systeem wordt verwacht van niet-vluchtig geheugen in caches en registers?
  3. Welke uitspraak over een kenmerkende toepassing waarvoor FeRAM wordt gebruikt, is juist?
  4. In welke stap van het logica-LSI-proces wordt het geheugenelement (MTJ) van MRAM gewoonlijk gemaakt?
  5. Hoe heet bij het verkleinen van faseveranderingsgeheugen het probleem dat de warmte bij het schrijven naar een naburige cel overgaat en de toestand daarvan verandert?

Vergelijkingen bij dit onderwerp