Welche Materialien werden als Widerstandsschicht von ReRAM erforscht und praktisch eingesetzt?

Antwort: B. Metalloxide wie Hafniumoxid und Tantaloxid

Für ReRAM werden häufig Metalloxide wie Hafniumoxid, Tantaloxid und Titanoxid verwendet. Durch die Spannung wandern Sauerstoffionen, und leitfähige Pfade aus angesammelten Sauerstoffleerstellen entstehen oder verschwinden, wodurch sich der Widerstand ändert. Da Hafniumoxid und Tantaloxid in CMOS als Gate-Isolatoren und Kapazitäten genutzt wurden, lassen sich Fertigungsanlagen und -prozesse leicht unverändert übernehmen, was ebenfalls ein Vorteil ist.