Laagafzetting (CVD, PVD)
Welke toepassing van siliciumnitridelagen (Si3N4) is juist?
- AHoofdmateriaal van gate-elektroden en bedrading
- BOxidatiemasker bij LOCOS, CMP-stopper en beschermlaag (passivering) van het oppervlak
- CVervanging van fotoresist
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Oxidatiemasker bij LOCOS, CMP-stopper en beschermlaag (passivering) van het oppervlak
Siliciumnitride laat zuurstof, vocht en ionen zoals natrium moeilijk door, is hard en heeft een goede etsselectiviteit ten opzichte van oxide, zodat het wordt gebruikt als masker voor selectieve oxidatie (LOCOS), als CMP-stopper bij de vorming van STI, als passiveringslaag die het chipoppervlak beschermt, als etsstopper en hardmasker, als spacer van de gate en als bescherming bij zelfuitgelijnde contacten. De relatieve diëlektrische constante is circa 7, zodat het weinig tussen bedrading wordt gebruikt.