Laagafzetting (CVD, PVD)

Welke toepassing van siliciumnitridelagen (Si3N4) is juist?

  1. AHoofdmateriaal van gate-elektroden en bedrading
  2. BOxidatiemasker bij LOCOS, CMP-stopper en beschermlaag (passivering) van het oppervlak
  3. CVervanging van fotoresist
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Oxidatiemasker bij LOCOS, CMP-stopper en beschermlaag (passivering) van het oppervlak

Siliciumnitride laat zuurstof, vocht en ionen zoals natrium moeilijk door, is hard en heeft een goede etsselectiviteit ten opzichte van oxide, zodat het wordt gebruikt als masker voor selectieve oxidatie (LOCOS), als CMP-stopper bij de vorming van STI, als passiveringslaag die het chipoppervlak beschermt, als etsstopper en hardmasker, als spacer van de gate en als bescherming bij zelfuitgelijnde contacten. De relatieve diëlektrische constante is circa 7, zodat het weinig tussen bedrading wordt gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Wat is het belangrijkste doel van het plaatsen van een magneet achter het target bij magnetronsputteren?
  2. Welke omstandigheden geven bij CVD een goede stapdekking (conformaliteit)?
  3. Welke laag ontstaat wanneer bij thermische ontleding van silaan een lage depositietemperatuur wordt gebruikt?
  4. Welk voorbeeld van materialen die kenmerkend met ALD worden afgezet is juist?
  5. Wat is het belangrijkste doel van de sputtermethode waarbij gesputterde atomen worden geïoniseerd en door een op de wafer aangelegde bias loodrecht worden aangetrokken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp