실리콘 포토닉스

실리콘 포토닉스가 반도체 공장에서의 양산에 적합하다고 하는 주된 이유는?

  1. ACMOS와 같은 실리콘 재료와, 대구경 웨이퍼, 리소그래피, 식각 등의 장비와 공정을 사용할 수 있기 때문에
  2. B도파로의 치수가 최첨단 로직과 같은 수 nm 정도여서, 최신 EUV 노광을 그대로 활용할 수 있기 때문에
  3. CInP 등의 화합물 반도체도 실리콘과 완전히 똑같이 CMOS 공장에서 자유롭게 다룰 수 있기 때문에
정답과 해설 보기

정답: A. CMOS와 같은 실리콘 재료와, 대구경 웨이퍼, 리소그래피, 식각 등의 장비와 공정을 사용할 수 있기 때문에

실리콘 포토닉스에서는 SOI 웨이퍼 위에 리소그래피와 건식 식각으로 도파로를 만들고, 이온 주입으로 변조기의 pn 접합을, 선택적 에피택셜 성장으로 Ge 광검출기를 만들며, 금속 배선으로 전극을 연결합니다. 모두 CMOS 공장에서 확립된 재료와 공정으로, 200 mm나 300 mm 웨이퍼에서 높은 정밀도와 재현성을 가지고 양산할 수 있습니다. 도파로의 폭은 수백 nm 정도이므로 최첨단 로직만큼의 미세화는 필요 없고, DUV 노광으로 충분합니다. 한편 InP 등의 화합물 반도체는 오염 우려가 있어, 일반적으로 CMOS 공장과는 분리하여 다룹니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

실리콘 포토닉스의 다른 문제

  1. 실리콘 도파로의 전파 손실(dB/cm)의 주된 원인 중 하나로 꼽히는 것은?
  2. 실리콘 도파로의 전파 손실을 측정하는 컷백법의 설명으로 올바른 것은?
  3. 광부품과 스위치 IC 등을 하나의 패키지에 넣는 CPO에서, 조립 전에 웨이퍼 상태로 광학 특성을 검사하는 것이 특히 중요해지는 이유는?
  4. 광소자를 만든 칩(PIC)과 드라이버나 TIA 등 전자 회로 칩(EIC)을 따로 만들어 적층하여 연결하는 구성이 사용되는 이유로 올바른 것은?
  5. 장거리 광섬유 통신에서 파장 1.55 µm 부근(C밴드)이 널리 사용되는 주된 이유는?