DRAM

일반적인 DRAM의 1비트 메모리 셀 구성으로 올바른 것은?

  1. A트랜지스터 1개와 커패시터 1개
  2. B트랜지스터 6개
  3. C플로팅 게이트를 가진 트랜지스터 1개
정답과 해설 보기

정답: A. 트랜지스터 1개와 커패시터 1개

DRAM 셀은 트랜지스터 1개와 커패시터 1개(1T1C)로 이루어지며, 커패시터의 전하 유무로 1비트를 기억합니다. 커패시터는 약 10 fF 안팎으로 매우 작아, 불과 수만 개 전자의 차이로 0과 1을 구분합니다. 소자 수가 적어 셀 면적이 약 6F²로 작아 대용량화에 적합합니다. 트랜지스터 6개는 SRAM, 플로팅 게이트 트랜지스터는 플래시 메모리의 셀 구성입니다.

DRAM 메모리 셀(1T1C) 비트선(BL) 워드선(WL) 트랜지스터 커패시터 전하의 유무로 1비트를 저장
DRAM 메모리 셀(1T1C) · 도해에서 보기
이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

DRAM의 다른 문제

  1. DRAM에서 주기적인 리프레시 동작이 필요한 이유로 올바른 것은?
  2. DRAM의 읽기 동작의 특징으로 올바른 것은?
  3. DRAM 셀에서 커패시터 용량을 확보하기 위해 사용되어 온 입체 구조의 조합으로 올바른 것은?
  4. DRAM의 성질로 올바른 것은?
  5. DDR SDRAM의 「DDR(더블 데이터 레이트)」의 의미로 올바른 것은?

이 분야의 비교