차량용 반도체와 기능 안전
차량용 IC의 래치업 시험을 실온뿐 아니라 제품의 최고 동작 온도에서도 수행하도록 요구되는 이유로 올바른 것은?
- A온도가 높을수록 기생 트랜지스터가 동작하기 어려워져 래치업이 일어나기 어려워지므로, 합격하기 쉬운 조건에서 시험할 수 있기 때문에
- B온도가 높을수록 기생 트랜지스터의 전류 증폭률이나 웰의 저항이 커져, 래치업이 일어나기 쉬워지기 때문에
- C고온에서는 ESD 보호 회로가 동작하지 않게 되므로, ESD 시험도 동시에 끝낼 수 있기 때문에
정답과 해설 보기
정답: B. 온도가 높을수록 기생 트랜지스터의 전류 증폭률이나 웰의 저항이 커져, 래치업이 일어나기 쉬워지기 때문에
CMOS의 래치업은 기생적으로 생기는 pnp와 npn 트랜지스터가 사이리스터로서 도통하여 큰 전류가 계속 흐르는 현상입니다. 온도가 올라가면 기생 트랜지스터의 전류 증폭률이 올라가고 웰이나 기판의 저항도 커지므로, 작은 전류로도 도통이 일어나기 쉬워집니다. 그래서 단자에 전류를 주입하거나 과전압을 가하는 시험을 가장 엄격한 최고 동작 온도에서도 수행합니다. 고온은 조건을 완화하기 위한 것이 아니며, ESD 시험과도 별도로 수행합니다.