書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション)란?
かきこみぞうふく
ホストが書き込んだデータ量より、ガベージコレクションなどのためにフラッシュメモリに実際に書き込まれるデータ量が多くなること。大きいほどSSDの寿命が縮む。
일본어 명칭: 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション)
분야: SRAM과 플래시 메모리
かきこみぞうふく
ホストが書き込んだデータ量より、ガベージコレクションなどのためにフラッシュメモリに実際に書き込まれるデータ量が多くなること。大きいほどSSDの寿命が縮む。
일본어 명칭: 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション)
분야: SRAM과 플래시 메모리
3D NAND 6T SRAMセル 不揮発性メモリ 電荷トラップ型セル FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム) NAND型フラッシュメモリ NOR型フラッシュメモリ NVMe SLC(シングルレベルセル) TLC(トリプルレベルセル)