MRAM dont l'aimantation est renversée par le couple spin-orbite produit par un courant circulant dans une couche de métal lourd. Les chemins d'écriture et de lecture sont séparés ; rapide et endurante.
Nom japonais: SOT-MRAM
« SOT-MRAM » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Mémoires émergentes.
Domaine: Mémoires émergentes
Réponse : C. L'aimantation est inversée par le couple spin-orbite d'un courant circulant dans une couche de métal lourd, ce qui permet de séparer les chemins de courant d'écriture et de lecture
La SOT-MRAM inverse l'aimantation de la couche de stockage par le couple spin-orbite produit par effet Hall de spin lorsqu'un courant circule dans une couche de métal lourd (tungstène, platine, etc.) située sous la MTJ. Le courant d'écriture ne traversant pas la barrière tunnel, celle-ci se dégrade peu, les chemins d'écriture et de lecture peuvent être séparés et une écriture rapide en moins de 1 ns est possible. En contrepartie, la cellule devient à trois terminaux et sa surface augmente ; des applications de cache proches de la SRAM sont envisagées.
La SOT-MRAM inverse l'aimantation de la couche de stockage par le couple spin-orbite produit par effet Hall de spin lorsqu'un courant circule dans une couche de métal lourd (tungstène, platine, etc.) située sous la MTJ.
Quelle est la caractéristique de la SOT-MRAM ?Jonction tunnel magnétique (MTJ) 3D XPoint Calcul en mémoire (in-memory computing) Chalcogénure FeFET (transistor ferroélectrique) FeRAM (mémoire ferroélectrique) Formage (forming) Mémoire crosspoint MRAM PCM (mémoire à changement de phase)