Was ist SOT-MRAM?

MRAM, das die Magnetisierung durch Spin-Bahn-Drehmoment eines Stroms in einer Schwermetallschicht umklappt. Schreib- und Lesestrompfad sind getrennt, was schnelles, dauerhaftes Schreiben ermöglicht.

Japanische Bezeichnung: SOT-MRAM

Fachgebiet: Neuartige Speicher

Verwandte Begriffe

3D XPoint Chalkogenid (chalcogenide) Crosspoint-Speicher (cross-point memory) FeFET (ferroelektrischer Feldeffekttransistor, ferroelectric FET) FeRAM (ferroelektrischer Speicher) Forming (electroforming) In-Memory-Computing Magnetischer Tunnelkontakt (MTJ) MRAM PCM (Phasenwechselspeicher)

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