MRAM waarin de magnetisatie wordt omgeschakeld door spin-baandrukmoment dat een stroom door een zwaarmetaallaag opwekt. Schrijf- en leesstroompad kunnen worden gescheiden; snel en bestand tegen veel herschrijfcycli.
Japanse benaming: SOT-MRAM
“SOT-MRAM” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: C. De magnetisatie wordt omgekeerd door spin-orbit torque van een stroom door een zware-metaallaag, waarbij het schrijf- en het leespad gescheiden kunnen zijn
Bij SOT-MRAM wordt een stroom door een zware-metaallaag onder de MTJ gestuurd, bijvoorbeeld wolfraam of platina. Het spin-orbit torque dat door het spin-Hall-effect ontstaat, keert de magnetisatie van de opslaglaag om. Omdat de schrijfstroom niet door de tunnelbarrière loopt, degradeert de barrière minder snel, kunnen schrijf- en leespad gescheiden zijn en is snel schrijven in minder dan 1 ns mogelijk. Daar staat tegenover dat de cel drie aansluitingen heeft en groter wordt, waardoor toepassing als cachegeheugen, dicht bij SRAM, wordt verwacht.
Bij SOT-MRAM wordt een stroom door een zware-metaallaag onder de MTJ gestuurd, bijvoorbeeld wolfraam of platina.
Welke uitspraak over de kenmerken van SOT-MRAM is juist?Magnetische tunnelovergang (MTJ) Cachegeheugen 3D XPoint Chalcogeniden Crosspoint-geheugen FeFET (ferro-elektrische transistor) FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) Forming In-memory computing MRAM