Fermi-niveau dat wordt ingevoerd om de elektronen- en gatendichtheid afzonderlijk te beschrijven in een halfgeleider die door belichting of stroominjectie uit het thermisch evenwicht is gebracht. Hoe groter het verschil tussen beide, hoe meer ladingdragers zijn geïnjecteerd.
Japanse benaming: 擬フェルミ準位
“Quasi-Fermi-niveau” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Halfgeleiderfysica.
Vakgebied: Halfgeleiderfysica
Antwoord: B. Quasi-Fermi-niveau
Wanneer de halfgeleider door belichting of stroominjectie uit thermisch evenwicht raakt, kunnen de dichtheden van elektronen en gaten niet gelijktijdig met één Fermi-niveau worden weergegeven. Daarom worden afzonderlijke quasi-Fermi-niveaus (imref) voor elektronen en gaten vastgelegd en wordt bijvoorbeeld n = ni·exp((EFn−Ei)/kT) gebruikt. Het verschil tussen beide komt via np = ni²·exp(ΔEF/kT) overeen met de spanning over de pn-junctie en de open-klemspanning van een zonnecel. De stroom is evenredig met de helling van het quasi-Fermi-niveau.
De stroom is evenredig met de helling van het quasi-Fermi-niveau.
Hoe heet het niveau dat wordt ingevoerd om de elektronendic…Fermi-niveau Via Acceptor Auger-recombinatie Bandgap (bandkloof) Diffusielengte Donor Effectieve massa Einstein-relatie Elektronenaffiniteit