Energieverschil tussen het vacuümniveau en de onderkant van de geleidingsband van een halfgeleider. Wordt gebruikt bij het beschouwen van bandsprongen in heterojuncties en de hoogte van de barrière bij contact met metaal.
Japanse benaming: 電子親和力
“Elektronenaffiniteit” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Halfgeleiderfysica.
Vakgebied: Halfgeleiderfysica
Antwoord: A. Elektronenaffiniteit
De elektronenaffiniteit (χ) is de energie die nodig is om een elektron aan de onderkant van de geleidingsband in vacuüm te brengen, en bedraagt bij silicium ca. 4,05 eV. Het is een materiaaleigenschap en verandert niet met de onzuiverheidsconcentratie. De werkfunctie daarentegen is het verschil tussen het Fermi-niveau en het vacuümniveau en verandert wel met de onzuiverheidsconcentratie. Bij een heterojunctie van verschillende halfgeleiders bepaalt het verschil in elektronenaffiniteit de sprong in de geleidingsband (ΔEc) (regel van Anderson).
De elektronenaffiniteit (χ) is de energie die nodig is om een elektron aan de onderkant van de geleidingsband in vacuüm te brengen, en bedraagt bij silicium ca.
Hoe heet het energieverschil tussen het vacuümniveau en de …Fermi-niveau Acceptor Auger-recombinatie Bandgap (bandkloof) Diffusielengte Donor Effectieve massa Einstein-relatie Gedegenereerde halfgeleider Indirecte bandovergang (indirect bandgap)