Plaquettes de silicium
Quelle est l'une des raisons pour lesquelles les wafers de SiC sont difficiles à fabriquer et coûteux ?
- ALa croissance par méthode CZ est très rapide
- BLa matière première est plus abondante que le silicium
- CNe fondant pas à pression atmosphérique, il doit être cristallisé à haute température par sublimation ou méthode similaire, avec une croissance lente et une forte propension aux défauts
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Réponse : C. Ne fondant pas à pression atmosphérique, il doit être cristallisé à haute température par sublimation ou méthode similaire, avec une croissance lente et une forte propension aux défauts
Le SiC ne fond pas à pression atmosphérique et se sublime vers 2700 ℃ ; il est donc impossible de tirer un cristal d'un bain comme pour le silicium. La croissance se fait par sublimation (méthode de Lely modifiée), qui sublime une poudre source à 2000–2500 ℃ et la recristallise sur un germe légèrement plus froid ; la vitesse de croissance, d'environ 0.1 à 1 mm par heure, est inférieure au centième de celle du silicium, et les défauts comme les dislocations sont fréquents. De plus, le matériau est très dur, et la découpe et le polissage sont longs.