실리콘 웨이퍼
SiC 웨이퍼의 제조가 어렵고 고가인 이유 중 하나로 올바른 것은?
- ACZ법으로 매우 빠르게 결정을 성장시킬 수 있기 때문
- B원료가 실리콘보다 풍부하기 때문
- C상압에서는 융해되지 않아 승화법 등으로 고온에서 결정을 성장시켜야 하며, 성장이 느리고 결함도 생기기 쉽기 때문
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정답: C. 상압에서는 융해되지 않아 승화법 등으로 고온에서 결정을 성장시켜야 하며, 성장이 느리고 결함도 생기기 쉽기 때문
SiC는 상압에서 녹지 않고 약 2700 ℃에서 승화하므로, 실리콘처럼 융액에서 결정을 끌어올릴 수 없습니다. 2000~2500 ℃에서 원료 분말을 승화시켜 약간 저온인 종결정 위에 재결정시키는 승화법(개량 레일리법)으로 성장시키기 때문에 성장 속도가 시간당 0.1~1 mm 정도로 실리콘의 1/100 이하이고, 전위 등의 결함도 생기기 쉽습니다. 게다가 매우 단단하여 절단과 연마에도 시간이 걸립니다.