SRAM과 플래시 메모리

NAND형 플래시 메모리에서 이미 데이터가 쓰인 페이지에 새 데이터를 쓸 때 필요한 것은?

  1. A그 페이지를 포함한 블록을 먼저 소거한 뒤에 쓴다
  2. B그대로 덮어쓸 수 있다
  3. C쓰기 전압을 낮춰서 덮어쓴다
정답과 해설 보기

정답: A. 그 페이지를 포함한 블록을 먼저 소거한 뒤에 쓴다

NAND는 쓰기로 문턱 전압을 높이는 방향(1→0)으로만 바꿀 수 있고, 되돌리려면 소거가 필요합니다. 소거는 페이지보다 큰 블록 단위로만 할 수 있기 때문에 덮어쓰기는 불가능합니다. SSD 컨트롤러는 새 데이터를 다른 빈 페이지에 쓰고, 논리 주소의 대응표(FTL)를 갱신하여 오래된 페이지를 무효화한 뒤, 나중에 한꺼번에 소거합니다. 이 구조가 SSD의 성능과 수명 관리의 기본입니다.

  • A. 올바릅니다. 소거한 뒤가 아니면 쓸 수 없습니다.
  • B. NAND 플래시는 덮어쓸 수 없습니다.
  • C. 전압을 낮춰도 덮어쓸 수는 없습니다.
이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

SRAM과 플래시 메모리의 다른 문제

  1. EEPROM과 플래시 메모리의 차이로 올바른 것은?
  2. SRAM 셀의 안정성을 나타내는 정적 잡음 여유(SNM)에 대한 설명으로 올바른 것은?
  3. SLC형 NAND 플래시 메모리의 재기록 가능 횟수 기준으로 가장 가까운 것은?
  4. NAND 플래시의 「불량 블록 관리」에 대한 설명으로 올바른 것은?
  5. SSD의 「오버 프로비저닝」에 대한 설명으로 올바른 것은?

이 분야의 비교