Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques)

Pourquoi utilise-t-on pour la gravure des oxydes des gaz fluorocarbonés riches en carbone comme le C4F8 ?

  1. APour annuler la vitesse de gravure
  2. BParce qu'ils forment facilement un polymère (film de protection) et permettent d'augmenter la sélectivité vis-à-vis de la sous-couche et du masque
  3. CPour se passer de plasma
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Parce qu'ils forment facilement un polymère (film de protection) et permettent d'augmenter la sélectivité vis-à-vis de la sous-couche et du masque

Les gaz fluorocarbonés riches en carbone (rapport C/F élevé) forment facilement dans le plasma un polymère de carbone et de fluor. Sur l'oxyde, l'oxygène du film élimine le polymère et la gravure progresse ; sur le silicium, le nitrure ou la résine, le polymère subsiste et arrête la gravure, d'où une sélectivité élevée. Le plasma reste nécessaire, et le but n'est pas d'annuler la vitesse de gravure.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques)

  1. Quel est l'ordre de grandeur correct de la pureté requise pour une cible de pulvérisation de Cu destinée aux couches d'amorçage ?
  2. Quel est le nom chimique correct de l'IPA, utilisé notamment pour le séchage après nettoyage ?
  3. Quelle combinaison des principaux types de matériaux de procédé utilisés en fabrication de semi-conducteurs est correcte ?
  4. Quelle méthode de stockage des résines photosensibles est généralement appropriée ?
  5. Pour quel usage l'eau ultrapure est-elle consommée en plus grande quantité dans les usines de semi-conducteurs ?