Wat is de juiste reden dat bij het etsen van oxide een fluorkoolstofgas met een groot aandeel koolstof zoals C4F8 wordt gebruikt?

Antwoord: B. Omdat het gemakkelijk een polymeer (beschermlaag) vormt en daardoor gemakkelijk een hoge selectiviteit ten opzichte van onderlaag en masker geeft

Fluorkoolstofgassen met een groot aandeel koolstof (hoge C/F-verhouding) vormen in plasma gemakkelijk een polymeer van koolstof en fluor. Op oxide verwijdert zuurstof uit de laag het polymeer, zodat het etsen voortgaat, maar op silicium, nitride en resist blijft het polymeer liggen en stopt het etsen, wat een hoge selectiviteit geeft. Plasma is nodig en het doel is niet om de etssnelheid 0 te maken.