Lequel des points suivants est connu comme l'un des problèmes des MOSFET SiC ?

Réponse : C. L'interface entre le SiC et l'oxyde de grille comporte de nombreux défauts, ce qui tend à abaisser la mobilité du canal

Le SiC peut aussi former du SiO2 par oxydation thermique, mais de nombreux défauts, notamment liés au carbone, subsistent à l'interface : la mobilité du canal tend à être bien inférieure à la mobilité dans le volume du cristal de SiC (environ 1000 cm²/V·s), de l'ordre de quelques dizaines de cm²/V·s. Des améliorations ont été obtenues, notamment par nitruration sous monoxyde d'azote (NO). La dérive de la tension de seuil et la fiabilité à long terme de l'oxyde de grille sont aussi des points exigeant une évaluation plus prudente que pour le Si.