Welches ist eine bekannte Herausforderung von SiC-MOSFETs?

Antwort: C. An der Grenzfläche zwischen SiC und Gate-Oxid gibt es viele Defekte, und die Kanalbeweglichkeit wird leicht niedrig

Auch auf SiC lässt sich durch thermische Oxidation SiO2 bilden, doch an der Grenzfläche bleiben viele kohlenstoffbezogene Defekte zurück, und die Kanalbeweglichkeit liegt deutlich unter der im Kristallinneren von SiC (etwa 1000 cm²/V·s), nämlich leicht bei einigen zehn cm²/V·s; das ist eine Herausforderung. Verbesserungen wurden z. B. durch Nitrierung in Stickstoffmonoxid (NO) erzielt. Schwankungen der Schwellspannung und die Langzeitzuverlässigkeit des Gate-Oxids sind Punkte, die sorgfältiger bewertet werden müssen als bei Si.