Nederlands
Menu

Vermogenshalfgeleiders

Wat is een bekend probleem van SiC-MOSFET’s?

  1. ADe doorslagspanning is lager dan die van silicium
  2. BDe bandkloof is kleiner dan die van silicium
  3. CHet grensvlak tussen SiC en gate-oxide heeft veel defecten, waardoor de kanaalmobiliteit gemakkelijk laag wordt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het grensvlak tussen SiC en gate-oxide heeft veel defecten, waardoor de kanaalmobiliteit gemakkelijk laag wordt

Ook bij SiC kan SiO2 door thermische oxidatie worden gevormd, maar aan het grensvlak blijven veel defecten achter, zoals koolstofgerelateerde defecten, zodat de kanaalmobiliteit aanzienlijk lager is dan de mobiliteit binnen het SiC-kristal (ca. 1000 cm²/V·s) en gemakkelijk slechts enkele tientallen cm²/V·s bedraagt. Verbetering is bereikt met onder meer nitridering in stikstofmonoxide (NO). Ook schommelingen in de drempelspanning en de langetermijnbetrouwbaarheid van de gate-oxide zijn punten die zorgvuldiger moeten worden beoordeeld dan bij Si.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Vermogenshalfgeleiders

  1. Welk materiaal wordt soms gebruikt in plaats van soldeer als verbindingsmateriaal voor de chip in SiC-vermogensmodules die bij hoge temperatuur werken?
  2. Wat is het belangrijkste voordeel van een hogere schakelfrequentie van een vermogensomzetter?
  3. Welk effect heeft een grotere waarde van de gateweerstand in de gate-aandrijfschakeling van een vermogenscomponent?
  4. Welke maat geeft aan hoe lang een vermogenscomponent een kortsluiting in een omvormer, zoals het gelijktijdig inschakelen van de bovenste en onderste schakelaar, kan doorstaan zonder te worden vernietigd?
  5. Wat is het doel van een korte periode (dode tijd, dead time) waarin beide schakelaars uit staan bij het omschakelen tussen de bovenste en onderste schakelaar van een omvormer?

Vergelijkingen bij dit onderwerp