Quel problème exige particulièrement des contre-mesures lors de la commutation rapide de composants de puissance SiC ou GaN ?

Réponse : A. Le bruit (EMI) et les surtensions dus aux variations brutales de tension et de courant

Le SiC et le GaN commutent avec des variations de tension (dv/dt) atteignant quelques dizaines à 100 V/ns et des variations de courant (di/dt) rapides : les surtensions dues à l'inductance parasite des connexions et le bruit électromagnétique (EMI) dû au courant traversant les capacités parasites tendent à augmenter. Il faut raccourcir et élargir les connexions pour réduire l'inductance parasite, ajuster la vitesse par la résistance de grille, ou ajouter des snubbers et des filtres.