Nederlands
Menu

Vermogenshalfgeleiders

Welk probleem vraagt om speciale tegenmaatregelen bij snel schakelen met SiC- en GaN-vermogenscomponenten?

  1. ARuis (EMI) en piekspanningen door abrupte spannings- en stroomveranderingen
  2. BDat het component licht uitzendt
  3. CDat het schakelen te traag wordt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ruis (EMI) en piekspanningen door abrupte spannings- en stroomveranderingen

SiC en GaN schakelen met zeer snelle spanningsveranderingen (dv/dt) en stroomveranderingen (di/dt) van enkele tientallen tot 100 V/ns, waardoor piekspanningen door parasitaire inductanties van de bedrading en elektromagnetische ruis (EMI) door stromen via parasitaire capaciteiten gemakkelijk groot worden. Maatregelen zijn nodig, zoals kortere en bredere bedrading om de parasitaire inductantie te verlagen, het afstemmen van de snelheid met een gateweerstand en het toevoegen van snubbers en filters.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Vermogenshalfgeleiders

  1. Hoe groot is bij benadering de spanning die ontstaat over een bedrading met een parasitaire inductantie van 10 nH wanneer de stroom in 10 ns met 10 A verandert?
  2. Wat is het juiste doel van een in voedingen gebruikte arbeidsfactorcorrectieschakeling (PFC)?
  3. Wat is het belangrijkste voordeel van SiC-vermogenscomponenten in de omvormer van een elektrische auto?
  4. Wat is de uitgangsspanning van een ideale step-downchopper (buck-converter) bij een ingangsspanning van 12 V en een duty cycle van de schakelaar van 0,25?
  5. Welke DC-DC-converter geeft een hogere gelijkspanning aan de uitgang dan aan de ingang?

Vergelijkingen bij dit onderwerp