Leistungshalbleiter

Welcher Zusammenhang zwischen Sperrspannung und Durchlasswiderstand bei Silizium-Leistungs-MOSFETs ist richtig?

  1. ASperrspannung und Durchlasswiderstand stehen in keinem Zusammenhang
  2. BBei höherer Sperrspannung wird der Durchlasswiderstand tendenziell kleiner
  3. CBei höherer Sperrspannung wird der Durchlasswiderstand tendenziell größer
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: C. Bei höherer Sperrspannung wird der Durchlasswiderstand tendenziell größer

Für eine höhere Sperrspannung muss die spannungsaufnehmende Driftschicht dicker und niedriger dotiert sein, wodurch ihr Widerstand steigt. Theoretisch ist der Durchlasswiderstand unipolarer Si-Bauelemente etwa proportional zur 2.5-ten Potenz der Sperrspannung, und bei doppelter Sperrspannung steigt er auf etwa das 5.7-Fache (Siliziumgrenze). Um diesen Zielkonflikt zu durchbrechen, werden Superjunction-Strukturen sowie SiC und GaN mit hoher Durchbruchfeldstärke eingesetzt.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Leistungshalbleiter

  1. Welche Hauptaufgabe hat ein Wechselrichter (Inverter) in der Leistungselektronik?
  2. Welche Verluste nehmen bei Leistungsbauelementen hauptsächlich zu, wenn die Schaltfrequenz erhöht wird?
  3. Welches Merkmal des Superjunction-(SJ-)MOSFET ist richtig?
  4. Wie groß ist die Temperaturerhöhung, wenn in einem Leistungsbauelement mit 2 °C/W Wärmewiderstand 10 W Verlustleistung entstehen?
  5. Wie heißt die bauartbedingt im Inneren des Leistungs-MOSFET entstehende parasitäre Diode?

Vergleiche zu diesem Thema