Dans un MOSFET à isolant de grille très mince, quel est l’effet du fait que le pic de distribution des électrons de la couche d’inversion se situe légèrement en retrait de l’interface ?

Réponse : B. L’isolant de grille paraît effectivement plus épais, et la capacité de grille (capacité de commande) diminue

Les électrons de la couche d’inversion sont confinés dans un puits étroit par le fort champ d’interface ; par effet quantique, leur distribution présente un pic non pas juste à l’interface mais environ 1 nm à l’intérieur. Le centre de charge s’éloignant de l’interface, l’effet équivaut à un isolant plus épais d’environ 0.3 à 0.4 nm en équivalent SiO2, et la capacité de grille ainsi que le courant de commande diminuent. Avec la déplétion du polysilicium, c’est une cause de l’« épaisseur électrique (CET) » supérieure à l’épaisseur physique, dont le poids croît à mesure que l’EOT diminue.