MOSFET
포화 영역의 MOSFET의 소신호 출력 저항 ro를 채널 길이 변조 계수 λ와 드레인 전류 ID로 나타낸 식으로 적절한 것은?
- Aro ≈ 1 / (λ × ID)
- Bro ≈ ID / λ
- Cro ≈ λ × ID
정답과 해설 보기
정답: A. ro ≈ 1 / (λ × ID)
채널 길이 변조를 고려하면 포화 영역의 드레인 전류는 ID(1 + λVDS) 형태로 VDS와 함께 약간 늘어나며, 이 기울기의 역수가 출력 저항 ro ≈ 1/(λID)입니다. λ는 채널 길이에 거의 반비례하므로 L을 2배로 하면 ro도 약 2배가 됩니다. 트랜지스터 단독의 최대 전압 이득은 gm·ro이며, 미세한 트랜지스터에서는 10~20배 정도밖에 안 되기 때문에 캐스코드나 다단 구성으로 이득을 확보합니다.
- A. 올바릅니다. ro ≈ 1/(λID)입니다.
- B. ID/λ의 단위는 전류×전압이며 저항이 되지 않습니다.
- C. λ × ID의 단위는 전류/전압이며 저항이 아닙니다.