Avec une grille en polysilicium, quel problème entraîne la déplétion du polysilicium côté électrode de grille ?

Réponse : C. Cela équivaut à un épaississement de l’isolant de grille effectif et réduit le courant de commande

Le polysilicium étant un semi-conducteur, une tension de grille crée aussi côté électrode une zone de déplétion d’environ 0.3 à 0.5 nm. Celle-ci agit comme une capacité en série, ce qui équivaut à une augmentation de l’épaisseur effective de l’isolant et réduit le courant de commande. Lorsque l’isolant a atteint l’ordre du nm, cette part est devenue non négligeable. Depuis le nœud 45 nm, la technologie high-k/grille métallique (HKMG) utilise une électrode métallique, ce qui élimine ce problème.