Nederlands
Menu

MOSFET

Welk probleem is juist bij een polysilicium-gate wanneer het polysilicium aan de gatezijde uitgeput raakt?

  1. ADe weerstand van de gate wordt 0
  2. BDe transistor straalt licht uit
  3. CHet komt neer op een effectief dikkere gate-isolator, waardoor de aandrijfstroom afneemt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het komt neer op een effectief dikkere gate-isolator, waardoor de aandrijfstroom afneemt

Omdat polysilicium een halfgeleider is, ontstaat bij het aanleggen van een spanning op de gate ook aan de gate-elektrodezijde een uitputtingslaag van ongeveer 0,3 tot 0,5 nm dik. Deze werkt als een seriecapaciteit, wat gelijkstaat aan een toegenomen effectieve isolatordikte, zodat de aandrijfstroom daalt. Naarmate de isolator tot enkele nm dun werd, werd dit een niet meer te verwaarlozen aandeel. Bij High-k/metal gate (HKMG) vanaf de 45 nm-generatie is dit probleem opgelost omdat een metalen elektrode wordt gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welk algemeen gevolg is juist wanneer de drempelspanning van een MOSFET wordt verlaagd?
  2. Hoe zijn de transistors van een CMOS 2-ingangs NAND-poort juist verbonden?
  3. Welk verschijnsel is het waarbij door een sterk elektrisch veld op de overlap van gate en drain een band-naar-band-tunnelstroom loopt en de lekstroom in de uit-toestand toeneemt?
  4. Welk voordeel voor schakelingen volgt uit het feit dat er nauwelijks stroom door de gate van een MOSFET loopt?
  5. Welke eigenschap van de source-volger (common-drain) schakeling met een MOSFET is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp