Welche Struktur wird bei den meisten derzeit verbreiteten GaN-Leistungsbauelementen verwendet?

Antwort: A. Laterale HEMT-Struktur auf einem Si-Substrat o. Ä.

Die meisten heutigen GaN-Leistungsbauelemente sind laterale HEMTs, bei denen GaN epitaktisch auf einem Si-Substrat aufgewachsen wird. Mit großformatigen, preisgünstigen Si-Substraten und bestehenden Si-Fabriken lassen sich die Kosten niedrig halten, und dank des schnellen Schaltens sind sie in Ladegeräten der Klasse 100 bis 650 V, Stromversorgungen für Rechenzentren und Fahrzeuggeräten verbreitet. Für noch höhere Spannungsfestigkeit und größere Ströme werden außerdem vertikale Bauelemente erforscht, die GaN-Substrate verwenden und den Strom vertikal fließen lassen.