Welche Beziehung zwischen der Durchbruchspannung BVCEO zwischen Kollektor und Emitter bei offener Basis und der Durchbruchspannung BVCBO zwischen Kollektor und Basis bei offenem Emitter ist richtig?

Antwort: B. BVCEO ist niedriger als BVCBO

Bei offener Basis sammeln sich die durch Lawinenmultiplikation am Kollektorübergang erzeugten Löcher in der Basis, wirken wie ein Basisstrom und werden durch die Verstärkung des Transistors verstärkt. Daher steigt der Strom bereits stark an, wenn der Multiplikationsfaktor M nur etwa 1 + 1/hFE erreicht, und es gilt BVCEO ≈ BVCBO/hFE^(1/n) (n etwa 3 bis 6), mitunter nur ein Bruchteil von BVCBO. Im Schaltungsentwurf dient das niedrigere BVCEO als Richtwert für die Spannungsfestigkeit und wird mit Reserve eingesetzt.