Bipolartransistor

Welche Aussage zum SiGe-HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) ist richtig?

  1. AEin Transistor mit metallischer Basis
  2. BDurch den Heteroübergang mit SiGe in der Basis lässt sich leicht bis zu hohen Frequenzen arbeiten
  3. CDie Stromverstärkung ist fest auf höchstens 1 eingestellt
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Antwort: B. Durch den Heteroübergang mit SiGe in der Basis lässt sich leicht bis zu hohen Frequenzen arbeiten

Der SiGe-HBT ist ein Heterojunction-Bipolartransistor, dessen Basis aus SiGe mit kleiner Bandlücke besteht. Der Bandlückenunterschied zwischen Emitter und Basis unterdrückt die Löcherrückinjektion, sodass die Basis bei erhaltener Injektionseffizienz hoch dotiert und dünn ausgeführt werden kann; durch einen Ge-Gradienten entsteht zudem ein Feld in der Basis, das die Elektronen beschleunigt. fT erreicht mehrere hundert GHz, und da er sich im Siliziumprozess fertigen lässt, wird er in Hochfrequenzschaltungen von Smartphones, in der optischen Kommunikation und in Kfz-Radar eingesetzt.

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