Was ist Unterschwellensteilheit (Subthreshold Swing)?

Die Gate-Spannung, die nötig ist, um den Drainstrom unterhalb der Einsatzspannung um den Faktor zehn zu ändern. Das theoretische Minimum bei Raumtemperatur liegt bei etwa 60 mV pro Dekade; je kleiner, desto schärfer das Ein-/Ausschalten.

Japanische Bezeichnung: サブスレッショルドスイング

Fachgebiet: MOSFET

Verwandte Begriffe

CMOS DIBL Einsatzspannung (Schwellenspannung) Flachbandspannung (flat-band voltage) Geschwindigkeitssättigung (velocity saturation) GIDL (gateinduzierter Drain-Leckstrom, gate-induced drain leakage) Inversionsschicht Kanallängenmodulation (channel-length modulation) Kurzkanaleffekt LDD-Struktur (LDD structure)

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