Verbindungshalbleiter aus Indium und Phosphor. Als Substrat für gitterangepasste Schichten wie InGaAs dient er für Glasfaserlaser, Photodetektoren und schnelle Transistoren.
Japanische Bezeichnung: InP(リン化インジウム)
Fachgebiet: Verbindungshalbleiter
2DEG (zweidimensionales Elektronengas) Direkter Halbleiter (direkte Bandlücke) Effizienz-Droop Ga2O3 (Galliumoxid) GaAs (Galliumarsenid) GaN (Galliumnitrid) Halbleiter mit großer Bandlücke (Wide-Bandgap) HEMT (Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) III-V-Verbindungshalbleiter Mischkristall-Halbleiter