Oxidation und Diffusion

Welche Kombination von Ladungsarten im Oxid und an der Grenzfläche einer MOS-Struktur wird üblicherweise unterschieden?

  1. AFeste Ladung, bewegliche Ionenladung, Oxid-Trap-Ladung, Grenzflächen-Trap-Ladung
  2. BGleichstromladung, Wechselstromladung, statische Ladung
  3. CLöcherladung, Elektronenladung, neutrale Ladung
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Antwort: A. Feste Ladung, bewegliche Ionenladung, Oxid-Trap-Ladung, Grenzflächen-Trap-Ladung

Die Ladungen im Bereich des Oxids werden in vier Arten eingeteilt: feste Ladung (Qf, positiv) im Oxid unmittelbar an der Grenzfläche, bewegliche Ionenladung (Qm) etwa durch Natrium, Oxid-Trap-Ladung (Qot) durch in Filmdefekten eingefangene Ladung und Grenzflächen-Trap-Ladung (Qit) durch Grenzflächenzustände. Alle verschieben Flachbandspannung und Einsatzspannung, und Qit verschlechtert zudem das Unterschwellverhalten. Sie werden per C-V-Messung nach Art getrennt bewertet.

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